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SKU:
IAIDSO0739
Categorías: Almacenamiento interno, Discos sólidos
Descripción
Marca | Samsung |
Modelo | MZ-V9P4T0CW |
Tipo | – SSD |
Capacidad | – 4 TB |
Formato | – M.2 2280 |
Conexión | – PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
Características | – Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC – Controller: Samsung in-house Controller – Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm – Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) – Soporte Modo Suspensión en dispositivo – Lectura secuencial: 7,450 MB/s – Escritura secuencial: 6,900 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS – Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS Entorno – Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W – Consumo energético (Idle): Max. 55 mW – Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 % – Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF) – Temperatura: 0 – 70ºC – Golpes: 1,500 G & 0.5 ms Dimensiones y peso – 80 x 22 x 2.3 mm – 9.0g |
Fecha de revisión | 21-12-2023 por RTY |
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