Name: Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0
SKU: IAIDSO0827
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Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB PCIe 4.0x 4 NVMe 2.0

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Marca	Samsung
Modelo	MZ-V9S1T0BW
Capacidad	– 1TB
Interfaz	– PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño	– M.2 (2280)
Rendimiento	– Lectura secuencial: hasta 7150 MB/s – Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 850.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPS
Características	– Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura – SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) – Soporte WWN – Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación – Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W – Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW – Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico – Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida – Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) – Temperatura de funcionamiento: 0 – 70 ºC Temperatura de funcionamiento – Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso – 80,15 x 22,15 x 2,38mm – Max. 9 g
Fecha de revisión	17-10-2024 por RTY

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SKU: IAIDSO0827 Categorías: Almacenamiento interno, Discos sólidos

Descripción

Marca	Samsung
Modelo	MZ-V9S1T0BW
Capacidad	– 1TB
Interfaz	– PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño	– M.2 (2280)
Rendimiento	– Lectura secuencial: hasta 7150 MB/s – Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 850.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPS
Características	– Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura – SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) – Soporte WWN – Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación – Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W – Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW – Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico – Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida – Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) – Temperatura de funcionamiento: 0 – 70 ºC Temperatura de funcionamiento – Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso – 80,15 x 22,15 x 2,38mm – Max. 9 g
Fecha de revisión	17-10-2024 por RTY

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